不止苹果！联发科投奔英特尔，1.4nm工艺却藏发热隐患
此前我们曾报道苹果计划与英特尔达成芯片供应协议，不止奔英在2027年或2028年，苹果让英特尔为非Pro版的科投iPhone以及Mac和iPad产品线提供芯片代工服务，采用英特尔的工艺EMIB封装。
而根据最新的却藏爆料，英特尔又迎来一个大客户，发热那就是隐患联发科。
爆料称联发科将会采用英特尔14A打造天玑系列SoC，不止奔英不过外媒似乎有些担心英特尔14A先进制程的苹果良率与功耗控制能否如期达标。
据了解，科投英特尔14A直接对标台积电14A工艺，工艺属于1.4nm级别。却藏英特尔14A工艺采用了第二代RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerDirect背面供电技术，发热相较于18A性能提升15%—20%，隐患功耗可以降低25%—35%。不止奔英
不过虽然PowerDirect背面供电技术让芯片能够提升晶体管密度，同时还可以带来更高、更稳定的频率，但是也有一个副作用，那就是会让芯片产生比较严重的自热效应。
如果这项技术是用于桌面处理器上，那么无可厚非。毕竟用户有各种主动散热方案可以解决发热的问题。但如果这项技术是用于手机SoC，那么手机有限的散热空间或将难以承载其发热负荷。
据了解，高通下一代旗舰芯片为了缓解散热问题，已经确定采用三星HPB散热技术。或许联发科也能够采用类似的技术来缓解芯片发热问题。
联发科虽然一直与台积电保持良好的合作关系，但台积电产能长期被英伟达、苹果等客户占据，而台积电产能越来越吃紧，联发科选择与英特尔合作，一定程度上可以缓解产能焦虑。
此外还有消息称英特尔EMIB封装成本较台积电CoWoS低30%—40%，也非常适合联发科芯片产品的市场定位。
本文地址：http://ctrf.fxbpo.cn/html/38f1399948.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。